[22p-61B-1~7] 酸化物材料の圧電デバイス応用

15:00 〜 15:30

[22p-61B-4] 酸化物バッファー層を用いたSi基板上の圧電単結晶薄膜成長

〇中川原 修¹ (1.I-PEX Piezo Solutions)

キーワード：

圧電薄膜,単結晶,エピタキシャル成長

独自のZrO₂バッファー層を採用することで、Si基板上でPZT薄膜を単結晶成長させることに成功した。単結晶PZTの特長として高い圧電定数(d₃₁=250pm/V)および残留分極(Pr＞40μC/cm²)、低誘電率(ε_r =400～450)、高信頼性などが挙げられる。全面成膜品については既に市販を開始しており、デバイス化についても圧電MEMSファウンドリを立ち上げ、サポート体制を整えている。