独自のZrO₂バッファー層を採用することで、Si基板上でPZT薄膜を単結晶成長させることに成功した。単結晶PZTの特長として高い圧電定数(d₃₁=250pm/V)および残留分極(Pr＞40μC/cm²)、低誘電率(ε_r =400～450)、高信頼性などが挙げられる。全面成膜品については既に市販を開始しており、デバイス化についても圧電MEMSファウンドリを立ち上げ、サポート体制を整えている。