講演情報
[22p-P07-39]グラフェン電気光学特性のドリフト・ヒステリシス評価
〇佐藤 弘樹1、牛場 翔太1、谷 晋輔1、木村 雅彦1 (1.村田製作所)
キーワード：
グラフェン,ドリフト,赤外分光
グラフェンの電気特性はゲート電圧に対し、しばしばドリフトやヒステリシスを示す事が報告されている。それに比べ、光学特性がドリフト・ヒステリシスを示す可能性について明示的に調べた先行研究は相対的に少ない。本研究では、反射スペクトル測定を通じてグラフェン光学特性のドリフト・ヒステリシスを評価すると共に、同時に電気測定を行い両者の相関を検討した。ドープSi基板をバックゲートとした電界効果トランジスタ試料を作製し、そのチャネル電流-バックゲート電圧特性を評価したところ、ゲート掃引に対しヒステリシスを示す事が確認された。また、ゲート電圧をいくつかの一定値に保った状態で反射光強度の変化率およびチャネル電流の経時変化を測定したところ、どちらもドリフトを示し、両者の間には強い相関がある事も分かった。当日は、実験手順や結果の詳細を報告した上で、ドリフト・ヒステリシスの要因や対策について議論する。