セッション詳細
[22p-P07-1]その場DRIFTS測定によるカーボンナノチューブ成長下でのAl2O3,SIO2担持CoおよびIr触媒粒子上でのエタノール分解過程
〇小山 征哉1、才田 隆広1,2、丸山 隆浩1,2 (1.名城大理、2.名城ナノ研)
[22p-P07-2]CoおよびIr触媒を用いた単層カーボンナノチューブ成長におけるバッファ層の影響
〇(M1)四本 真央1、松岡 就1、才田 隆広1,2、春山 雄一3、成塚 重弥1、丸山 隆浩1,2 (1.名城大理工、2.名城ナノマテリアル研究センター、3.兵庫県立大高度研)
[22p-P07-3]メラミンフォームを基盤としたナノカーボンハイブリッド構造体の作製
〇杉山 萌梨1、サラマ カマル2、才田 隆広1,2、春山 雄一3、丸山 隆浩1,2 (1.名城大理工、2.名城大ナノマテ研、3.兵庫県立大高度研)
[22p-P07-5]カーボンナノウォール合成における電場の効果と応用研究
〇金田 美優1、森 みなみ2、高橋 勝國1、深田 幸正3、吉井 賢資3、福田 竜生3、吉越 章隆3、小畠 雅明3、池田 直1、狩野 旬1、藤井 達生1 (1.岡山大院環境自然、2.岡山大理、3.原子力機構)
[22p-P07-6]One-step process of Microwave-assisted catalytic decomposition of various plastic waste into carbon nanotubes (CNTs)
〇IPutu Abdi Karya1, Kohei Nakagawa1, Yota Kageyama2, Al Jalali Muhammad1, Takayuki Asano2, Fumihiro Nishimura3, Toyohiko Nishiumi2, yoshinori Tatematsu1, Seitaro Mitsudo2 (1.FIR, Univ. of Fukui, 2.Dept. of Appl. Phys., Univ. of Fukui, 3.HISAC, Univ. of Fukui)
[22p-P07-8]Effect of thermal treatment on the electrical properties of particles composed of carbon nanobelts and C60 molecules
〇(M1C)Sayaka Hata1, Shunji Kurosu2, Kenji Motohashi1,2,3, Toru Maekawa2 (1.Toyo Univ. Grad. Sch., 2.Toyo Univ. BN Centre, 3.Toyo Univ.)
[22p-P07-11]Multiple-step defect healing of single-walled carbon nanotubes in reactive environment
〇Man Shen1, Yuanjia Liu1, Taiki Inoue1, Yoshihiro Kobayashi1 (1.Osaka Univ. Appl Phys)
[22p-P07-12]高純度半導体型カーボンナノチューブの直径と抵抗温度係数の関係
〇宮本 俊江1,2、田中 朋1,2、宮崎 孝1,2、金折 恵2、殿内 規之1,2、渋谷 明信1,2、斎藤 毅2、桒原 有紀2、橋本 剛3、弓削 亮太1,2 (1.NEC、2.産総研、3.㈱名城ナノカーボン)
[22p-P07-13]カーボンナノチューブネットワークの配向性制御と電気特性評価
〇福田 紀香1、殿内 規之1,2、田中 朋1,2、宮本 俊江1,2、金折 恵2、弓削 亮太1,2 (1.日本電気、2.産総研)
[22p-P07-14]Fabrication of field-effect transistors with as-grown clean CNT channels on quartz substrates
〇weijie jia1, Taiki Sugihara1, Guangyao Zhu1, Ya Feng1, Keigo Otsuka1, Minhyeok Lee1, Rong Xiang2, Shigeo Maruyama1, Shohei Chiashi1 (1.The University of Tokyo, 2.Zhejiang University)
[22p-P07-15]カーボンナノチューブ複合紙を用いた水素ガスセンサの異なる形状に対する応答性評価
〇久保 竣太郎1、新井 皓也2、大矢 剛嗣1 (1.横国大院理工、2.三菱マテリアル)
[22p-P07-17]SWCNTインクを用いた高導電性ポリエステル布の電波シールド応用
〇(M2)堀田 唯音1、深瀬 大貴1、木坂 響希1、黒松 将1、佐藤 優介2、遠藤 和幸2、渡辺 剛志1、須賀 良介1、黄 晋二1 (1.青学大理工、2.日本プラスト株式会社)
[22p-P07-18]スクリーン印刷法を用いて作製したSWCNTチップレスRFIDタグ
〇(M1)木坂 響希1、渡邉 泰成1、堀田 唯音1、黒松 将1、渡辺 剛志1、須賀 良介1、黄 晋二1 (1.青学大理工)
[22p-P07-24]ナノカーボン材料を用いたペロブスカイトデバイスの作製と特性評価
〇初田 光1、谷口 萌花2、緒方 啓典1,2,3 (1.法大院理工、2.法大生命、3.法大マイクロナノ研)
[22p-P07-25]軟X線照射と原子状水素アニールによる酸化グラフェンの還元
〇部家 彰1、稲本 純一1、松尾 吉晃1、神田 一浩2、住友 弘二1 (1.兵庫県立大工、2.兵庫県立大高度研)
[22p-P07-26]スチレン添加大電力パルススパッタリング(HPPS)プラズマで堆積させた炭素膜の解析
大石 侑叶1、桒田 篤哉1、東田 遼平1、〇篠原 正典1、前田 文彦2、田中 諭志3、松本 貴士3 (1.福岡大、2.福岡工大、3.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ)
[22p-P07-27]MBE法を用いて成膜した高品質Ir(111)薄膜上のCVDグラフェン成長
〇橋本 恵里1、大沼 佑貴1、黒坂 洋人1、西尾 雄大1、松井 文彦2、黄 晋二1 (1.青学大理工、2.分子研)
[22p-P07-31]六方晶窒化ホウ素フレーク上に気相成長させたグラフェン層の透過型電子顕微鏡による積層構造解析
〇宮下 裕乃介1、柳澤 圭一2、渡邊 颯人1、千木良 悠貴1、高塚 亮輔3、鵜飼 智文2、黒須 俊治2、渡邊 賢司4、谷口 尚4、花尻 達郎1,3,2、前川 透1,3,2、根岸 良太1,3,2 (1.東洋大学、2.BNC、3.東洋大院、4.物質材料研究機構)
[22p-P07-32]乱層グラフェンのフェルミ準位制御による光吸収端シフトの検証
〇水野 琢央1、池田 匠吾1、井ノ上 泰輝1、仁科 勇太2、小林 慶裕1 (1.阪大院工、2.岡山大)
[22p-P07-34]高電界下で作製した還元型酸化グラフェン(rGO)
〇佐藤 匠1、山口 博之1、長南 安紀1、小谷 光司1、小宮山 崇夫1、山内 繁2 (1.秋田県立大システム科学技術、2.秋田県立大木高研)
[22p-P07-37]グラフェン表面増強ラマン散乱(G-SERS)基板の高性能化
〇衡 彦君1、相澤 佳乃1、濱田 佑希乃1、吹留 博一2、唐 超2、佐藤 昭2、尾辻 泰一2、内野 俊1 (1.東北工大工、2.東北大通研)
[22p-P07-38]電解質溶液浸漬によるグラフェンFETのドリフト抑制
〇牛場 翔太1、德田 優果1、中野 友美1、小野 尭生2、谷 晋輔1、木村 雅彦1、松本 和彦2 (1.村田製作所、2.阪大産研)
[22p-P07-45]遷移金属触媒フリーでの絶縁体表面への六方晶窒化ホウ素結晶成長
〇牟田 幸浩1、杉浦 正仁1、松本 貴士1 (1.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ)
[22p-P07-49]ケルビンプローブフォース顕微鏡による金属-二次元材料コンタクト界面の評価
〇岡田 光博1、沖川 侑揮1、遠藤 尚彦2、張 文馨1、岡田 直也1、宮田 耕充2、久保 利隆1、入沢 寿史1、山田 貴壽1 (1.産総研、2.都立大)
[22p-P07-50]CVD成長した多層hBNのラマンスペクトルのショルダーピークの解析
〇小子内 行羅1、Solís-Fernández Pablo2、深町 悟2、吾郷 浩樹1,2 (1.九大院総理工、2.九大GIC)
[22p-P07-51]自発形成する液滴の凝集運動による折り畳み捻り 2 層 MoS2 の形成
〇四谷 祥太郎1、丸山 実那2、岡田 晋2、遠藤 尚彦3、宮田 耕充3、陳 麗米4、大島 義文4、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合、2.筑波大数理、3.都立大理、4.北陸先端大)
[22p-P07-52]金属-絶縁体相転移材料を用いたMoS2の局所発光強度変調
〇(B)中山 航陽1、戸井田 尚大2、遠藤 尚彦1、稲田 貢1、佐藤 伸吾1、谷口 尚3、渡邊 賢司3、宮田 耕充2、松田 一成4、山本 真人1 (1.関西大システム理工、2.都立大理、3.物材機構、4.京大エネ研)
[22p-P07-53]Mie共鳴を示すシリコンナノ粒子と結合した単層WSe2の光学特性
〇呉 柊斗1、篠北 啓介1、杉本 泰2、藤井 稔2、松田 一成1 (1.京大エネ研、2.神戸大院工)
[22p-P07-54]人工光合成のためのZスキーム型SnS2/g-C3N4光触媒
〇森 耀平1、バスカー マラティ1、ハリッシュ サンダーナクリッシュナンシュナン2、ナバニーザン マニ2、中村 篤志1 (1.静岡大院、2.SRM Inst.)
[22p-P07-57]Electric-field Sensor based on MoS2 for Lightning Forecast
〇Jiali Hu1, Razzakul Islam Mohammad1, Afsal Kareekunnam1, Kuki Akihiro1, Takeshi Kudo2, Takeshi Maruyama2, Masashi Akabori1, Hiroshi Mizuta1,3 (1.Japan Advanced Institute of Science and Technology, 2.Otowa Electric Co., Ltd., 3.University of Southampton)
[22p-P07-58]Modulation of Hysteresis in MoS2 MOSFET through Inorganic Molecular Doping toward memristive behavior
〇(P)Elamaran Durgadevi1, Daisuke Kiriya1 (1.The Univ. of Tokyo)
[22p-P07-59]熱処理による単層 2H-MoTe2チャネル FET の電気的特性への影響
〇滋野 博史1、山村 陸斗1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、星 裕介1 (1.東京都市大学、2.NIMS)
[22p-P07-60]Performance Analysis of MoS2/WSe2 Complementary Field-Effect Transistors
Yeasin Arafat Pritom1, 〇Abdul A Kuddus2, Jaker Hossain3, Md Rasidul Islam4, Shinichiro Mouri2, Mainul Hossain1 (1.Univ. of Dhaka, 2.Ritsumeikan Univ., 3.Univ. of Rajshahi, 4.BSFMST Univ.)
[22p-P07-61]TaS2のオゾン酸化によるTaOxの形成とゲート絶縁膜応用
〇(B)佐橋 悠太朗1、稲田 貢1、佐藤 伸吾1、上野 啓司2、山本 真人1 (1.関西大システム理工、2.埼玉大院理工)
[22p-P07-62]WSe2をチャネルとするディラックソースFETの作製
〇(B)細見 誓1、稲田 貢1、佐藤 伸悟1、谷 弘詞1、谷口 尚2、渡邊 賢司2、上野 啓司3、山本 真人1 (1.関西大システム理工、2.物材機構、3.埼玉大院理工)
[22p-P07-63]MoTe2/p-Ge、およびMoTe2/p++-Siヘテロ構造を用いた縦型TFETの研究
〇工藤 晃哉1、中村 宥雅1、青木 伸之1、柯 夢南1 (1.千葉大学)
[22p-P07-64]WSe2/WOxヘテロ構造における光ゲーティング効果の温度依存性
〇(B)金谷 瞳1、稲田 貢1、谷口 尚2、渡邊 賢司2、上野 啓司3、山本 真人1 (1.関西大システム理工、2.物材機構、3.埼玉大院理工)
[22p-P07-65]WSe2/WOxヘテロ構造における抵抗変化動作の電極材料依存性
〇(B)福島 脩平1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1 (1.関西大システム理工、2.埼玉大院理工)
[22p-P07-66]数層hBNのCVD成長と磁気トンネル接合素子への応用
〇江本 暁1、楠瀬 宏樹1、益田 純奨1、深町 悟2、Yung-Chang Lin3、末永 和知4、木村 崇5、吾郷 浩樹1,2 (1.九大院総理工、2.九大GIC、3.産総研、4.阪大産研、5.九大院理)
[22p-P07-67]Application of Monoatomic Boron Vacancy of Hexagonal Boron Nitride as Ultra-thin Van der Waals Magnetic Tunnel Junction
〇(DC)Halimah Harfah1, Yusuf Wicaksono2, Gagus K. Sunnardianto3, Muhammad A. Majidi5, Koichi Kusakabe4 (1.Osaka Univ, 2.RIKEN CPR, 3.BRIN Indonesia, 4.Hyogo Univ., 5.Univ. Indonesia)