講演情報
[23a-11E-3]InGaN/GaN系可視域トポロジカルPhC共振器構造の作製と光学特性評価
〇倉邉 海史1、髙野 大和1、秋元 弥頼1、本多 卓人1、杉浦 雛姫1、胡 暁4、菊池 昭彦1,2,3 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大学半導体研究所、4.物材機構 WPI-MANA)
キーワード：
窒化ガリウム,トポロジカル
フォニック結晶にトポロジーの概念を適用したトポロジカルPhCが注目されている。PhC 技術が成熟した近赤外領域で進展しているが、作製の難易度等の理由から可視域での報告は少ない。我々はGaNの低損傷加工技術であるHEATE法により作製したGaN系トポロジカルPhCにより可視域でのトポジカルエッジ伝搬の報告をした。今回は活性層を有するトポロジカルPhC共振器構造を作製し、周回モードと思われる発光現象を観測したので報告する。