講演情報
[23a-12L-3]100 nm吸収層をもつ超薄膜GaAs太陽電池の作製と光閉じ込め構造の導入
〇土田 遼哉1、渡辺 健太郎2、浅見 明太2、中野 義昭1、杉山 正和1,2 (1.東大工、2.東大先端研)
キーワード：
超薄膜GaAs太陽電池,光閉じ込め
超薄膜GaAs太陽電池に光閉じ込め構造を導入することで、理論的には100 nmの吸収層膜厚でほぼ全ての光を吸収できると計算されている。そこで本研究では100 nmの吸収層膜厚をもつ太陽電池を実際に作製した。また光閉じ込めのための裏面テクスチャ構造を、作製条件を変えて導入し、光吸収量の増加に適したテクスチャ構造の作製条件を調べた。