講演情報
[23a-12M-3]光熱偏向分光法による Sn-Se 蒸着膜の局在準位評価
〇飯田 碧1、多胡 秀斗1、後藤 民浩1 (1.群馬大院理工)
キーワード：
カルコゲナイド半導体,局在準位,光熱偏向分光法
カルコゲナイド材料は、相変化メモリとセレクタの両方の形で、現代の不揮発性メモリ技術において重要な役割を果たしている。しかし、現在使われているカルコゲナイドにはその材料に起因する課題が指摘されている。そこで、我々は新しいメモリ材料としてSn-Se系化合物に着目した。本研究ではSn-Se薄膜の局在準位の理解を目的とし、光熱偏向分光法(PDS)を用い、Sn-Se薄膜の弱光吸収の観測をおこなった。得られた結果について考察する。