講演情報
[23a-12M-5]Si-Te系セレクタ材料の電子構造
〇畑山 祥吾1、齊藤 雄太1,2、フォンス ポール3、シュアン イ2、キム ミヒョン2、須藤 祐司2 (1.産総研、2.東北大、3.慶応大)
キーワード：
アモルファスカルコゲナイド,セレクタ,オボニック閾値スイッチ
クロスポイント型素子は次世代不揮発性メモリや非ノイマン型コンピューティングに応用可能であり、リアル空間とサイバー空間が高度に融合するSociety5.0を支える素子構造として期待されている。この構造では、トランジスタではなくセレクタと呼ばれる材料によって素子選択を行うことで、構造を簡便化し高い集積度を実現している。セレクタに使用されるアモルファスカルコゲナイドは、閾値電圧(Vth)を超える電圧印可によって、高抵抗(OFF)状態から低抵抗(ON)状態へと揮発性の抵抗スイッチを示す特徴がある。素子の更なる発展にはセレクタの高性能化が必須だが、この揮発性スイッチの原理には不明な点が多く、材料開発を妨げる要因となっている。本研究では、Si-Te系セレクタを対象に、その電子状態を評価することで揮発性スイッチが発現する起源に迫った。