講演情報
[23a-13M-7]Si表面におけるレーザー加工効率の電子温度依存性に関する第一原理計算
〇山田 俊介1、乙部 智仁1 (1.量研関西研)
キーワード：
Si表面,時間依存密度汎関数理論,有限温度
近赤外フェムト秒パルス光によるSi表面のレーザー加工初期過程について、電子系のエネルギー吸収の電子温度依存性を時間依存密度汎関数理論（TDDFT）に基づく第一原理計算手法を用いて解析した。有限温度において、Si表面から約3nmの領域では、吸収エネルギーの非線形な増強が発生し、電子温度が1eVのときバルク領域と比較してエネルギー密度が２倍以上になることがわかった。