[23a-22A-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

10:00 〜 10:15

[23a-22A-2] 真空中加熱によるGe(111)基板上GeH 薄膜の層間距離変化

〇松本 一歩¹、洗平 昌晃²、柴山 茂久¹、坂下 満男¹、中塚 理^1,2、黒澤 昌志¹ (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

二次元材料