セッション詳細
[23a-22A-1~7]15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶
2024年3月23日(土) 9:45 〜 11:30
22A (2号館)
都甲 薫(筑波大)
[23a-22A-1]Synthesis of Large-Area GeS Thin Films Using Vapor Transport Method
〇Qinqiang Zhang1, Ryo Matsumura1, Naoki Fukata1 (1.NIMS)
[23a-22A-2]真空中加熱によるGe(111)基板上GeH 薄膜の層間距離変化
〇松本 一歩1、洗平 昌晃2、柴山 茂久1、坂下 満男1、中塚 理1,2、黒澤 昌志1 (1.名大院工、2.名大未来研)
[23a-22A-3]GaAs基板に形成したSbドープGe1−x−ySixSny薄膜の低温熱電物性
〇椙村 樹1、中田 壮哉1、柴山 茂久1、坂下 満男1、中塚 理1,2、片瀬 貴義3、黒澤 昌志1 (1.名大院工、2.名大未来研、3.東工大元素MDXセ)
[23a-22A-4]高抵抗Si(111)基板上へのCaSi2薄膜形成と低温熱電物性評価
〇加藤 高1、柴山 茂久1、坂下 満男1、中塚 理1,2、片瀬 貴義3、黒澤 昌志1 (1.名大院工、2.名大未来研、3.東工大元素MDXセ)
[23a-22A-5]Effect of Si cap layer on the lattice strain in a Ge wire structure on Si
Joshua Chombo1, 〇FAIZ FAIZ MOHD1, Takeshi Hizawa1, Jose A. Piedra-Lorenzana1, Keisuke Yamane1, Mingjun Jiang2, Donghwan Ahn2, Kazumi Wada3, Yasuhiko Ishikawa1 (1.Toyohashi Univ. Tech., 2.Kookmin Univ., 3.MIT)
[23a-22A-6]選択的イオン注入によるGe-on-Si(111)上歪みSiGeへのクラック発生の抑制
〇長尾 優希1、小田島 綾華1、井上 貴裕1、山田 道洋2,3、浜屋 宏平2,4、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大、2.阪大基礎工 CSRN、3.JST さきがけ、4.阪大 OTRI)
[23a-22A-7]In-situ Sbドーピングによるn型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル層の形成
〇柴山 茂久1、高木 孝明1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)