[23a-31A-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:00 〜 11:15

[23a-31A-8] (-102)面β-Ga₂O₃基板上NiO膜のエピタキシャル構造

〇大島 孝仁¹、中込 真二² (1.NIMS、2.石巻専修大)

キーワード：

酸化ガリウム,酸化ニッケル