講演情報
[23a-71A-1][分科内招待講演] 高積層3次元フラッシュメモリにおけるプロセス開発の課題とその対策
〇宮島 秀史1 (1.キオクシア株式会社)
キーワード：
半導体,3D NAND フラッシュメモリ
3D NANDフラッシュメモリにおける高積層技術の追求は、コスト、歩留まり、持続可能性など製造上の大きな課題を有している。本講演では、高積層技術の複雑さ、コストへの影響、歩留まり向上の難しさ、将来技術の課題に焦点を当てて議論することを目的とする。費用対効果の高い製造、歩留まり改善、持続可能な製造方法により、これらの課題を克服し持続可能で強靭なメモリ技術エコシステムを確保しすることが必要となる。