[23a-P03-1~13] 3.8 テラヘルツ全般（旧3.9）

[23a-P03-13] 近紫外照射による Si からのテラヘルツ波放射の増強

〇守安 毅¹、松井 圭也¹、加藤 広大¹、谷 正彦²、北原 英明²、熊倉 光孝¹ (1.福井大工、2.福井大遠赤セ)

キーワード：

テラヘルツ波放射,半導体

Si のテラヘルツ波放射効率は，625 nm の超短パルスレーザーを用いた検証実験によって InP や GaAs に比べ二桁以上低いと報告されている．Si が間接遷移型の半導体であることが低い放射効率の原因であると考え，本研究では Si の直接遷移準位が紫外領域にあることに注目し，放射効率の増強を期待して，Si からのテラヘルツ波放射を近紫外領域の超短パルス光を用いて調査した．