講演情報
[23a-P03-3]スピントロニック素子からのテラヘルツ波放射の磁場飽和特性
タララ ミゼル1、〇北原 英明1、石井 克幸1、古屋 岳1、エスカノ マリー1、谷 正彦1、ブルガレビッチ ドミトリ2、へ ドンフェン2、渡邊 誠2 (1.福井大、2.物材研)
キーワード：
スピントロニックエミッタ,磁気バイアス変調,テラヘルツ分光
スピントロニック素子から放射されるテラヘルツ(THz)波の強度と極性は印加する磁場の強さと方向に依存する。以前の我々の講演で交流磁場バイアスによるTHz波の検出効率改善を報告した。この時、磁場強度に対する放射THz波の振幅依存性が2mTにおいて既に飽和が始まっている様子が観測された。そこで、本研究ではスピントロニック素子の磁場バイアス強度依存性について定量評価した結果を報告する。