講演情報
[23a-P03-4]ミリ波検出を目指した低障壁InAs/GaxIn1-xAs/InAs ヘテロ構造ダイオードの作製と特性評価
〇(M1)井上 礎1、川野 亮1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1、佐々 誠彦1 (1.大阪工大 ナノ材研)
キーワード：
ミリ波検出器,テラヘルツ波検出器,低障壁ヘテロ構造ダイオード
ミリ波・テラヘルツ波の検出において，広帯域・低雑音動作が可能な検出器として，近年，半導体ヘテロ構造を利用したフェルミレベル制御バリアダイオードや低障壁ヘテロ構造ダイオードが注目されている．本研究では，新たな材料構成のヘテロ構造であるn-InAsリザーバー層を有するGaxIn1-xAs三角障壁に基づく低障壁ヘテロ構造ダイオードを提案し，その非線形電流電圧特性について報告する．