[23a-P06-1~23] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[23a-P06-19] プロトン挿入によるVO₂エピタキシャル薄膜の物性変調

〇(M1)藤 颯太¹、菅 大介¹、磯田 洋介¹、間嶋 拓也²、島川 祐一¹ (1.京大化研、2.京大院工)

キーワード：

二酸化バナジウム,金属絶縁体転移,水素挿入