セッション詳細
[23a-P06-1~23]6.3 酸化物エレクトロニクス
2024年3月23日(土) 9:30 〜 11:30
P06 (9号館)
[23a-P06-1]Laser fluence effect on scattering times at γ-Al2O3/SrTiO3 heterostructures
〇(M2)JIWON YANG1, Mikk Lippmaa1 (1.ISSP, Univ. of Tokyo)
[23a-P06-2]超音波分散法で作製した超微粉末 GaOx/Ga の形成と光触媒性能効果
〇前田 直輝1、永井 慈1、岡本 尚文2、今井 崇人1、山本 伸一1 (1.龍谷大理工、2.奈良先端大)
[23a-P06-3]不純物を添加した粉末Gaの光触媒効果
〇津谷 泰紀1、永井 慈1、前田 直輝1、岡本 尚文2、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工、2.奈良先端大)
[23a-P06-4]AgVO3粉末における光触媒性能の焼成温度依存性
〇西塚 直之1、佐々木 隆太1、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工)
[23a-P06-5]AgVO3に希土類材料を合成した可視光応答性光触媒
〇佐々木 隆太1、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工)
[23a-P06-6]沈殿法を用いたErVO4の光触媒性能の評価
〇久保 貴仁1、三原 捷1、佐々木 隆太1、山本 伸一1 (1.龍谷大学先端理工)
[23a-P06-7]アニール処理したGa 粒子の光触媒反応
〇杉野 智之1、津谷 泰紀1、永井 慈1、前田 直輝1、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工)
[23a-P06-8]Photocatalytic activity of Al doped SrTiO3
〇(D)Jiayue Ma1, Mikk Lippmaa1 (1.ISSP, The Univ. of Tokyo)
[23a-P06-9]ナノフラワー状WO3光陽極によるマイクロプラスチック分解
〇(B)小泉 生吹1、内田 涼太1、伊藤 皇聖1、野田 啓1 (1.慶應大理工)
[23a-P06-10]ペロブスカイト/Siタンデム太陽電池応用に向けたETL-SnOx層のHAXPES評価
〇桐原 芳治1、武政 力暉1、家城 大輔1、保井 晃2、石川 亮佑1、野平 博司1 (1.都市大、2.高輝度光科学研究センター)
[23a-P06-11]SnO2系透明導電膜のグルコン酸水溶液中での還元と、それを利用した新規パターニング法
〇小川 大輔1、並木 宏允1、宮下 惟人1 (1.都産技研)
[23a-P06-12]液相析出法による酸化スズ薄膜の作製とそのペロブスカイト太陽電池の電子輸送層への応用
〇(B)辻 優奈1、黒川 聖也1、永田 佳大1、青井 芳史1 (1.龍谷大先端理工)
[23a-P06-13]Cu/CuO混合ターゲットを用いたCu₂O膜のDCスパッタリング
〇関口 晨雄1、宮島 晋介1 (1.東工大)
[23a-P06-14]フッ化物イオンを含む前駆溶液を用いたソルボサーマル法によるアナターゼ型酸化チタンのエピタキシャル成長
〇(DC)小野 公輔1、下村 勝1 (1.静岡大創造院)
[23a-P06-15]赤外線加熱型TDSを用いたIGZO薄膜の特性評価
山本 伸一1,2、Alshanbari Reem2、〇前島 邦光3、永井 慈1、和迩 浩一1、Kymissis Ioannis2 (1.龍谷大先端理工、2.コロンビア大学、3.電子科学)
[23a-P06-16]Application of machine learning to thin film fabrication
〇YUNLONG SUN1, Haotong Liang3, Mikk Lippmaa2 (1.GSFS UTokyo, 2.ISSP UTokyo, 3.Maryland Univ)
[23a-P06-17]液相析出(LPD)法によるNiOx薄膜の作製とそのエレクトロクロミック特性
〇(B)阪本 樹乃里1、永田 佳大1、青井 芳史1 (1.龍谷大先端理工)
[23a-P06-18]KOHフラックス法成膜による(Pr1–ySmy)1–xCaxCoO3の金属–絶縁体転移
〇山本 樹輝1、舩木 修平1、山田 容士1、田橋 正浩2、吉田 隆3、一野 祐亮4 (1.島根大自然、2.中部大、3.名古屋大、4.愛工大)
[23a-P06-19]プロトン挿入によるVO2エピタキシャル薄膜の物性変調
〇(M1)藤 颯太1、菅 大介1、磯田 洋介1、間嶋 拓也2、島川 祐一1 (1.京大化研、2.京大院工)
[23a-P06-20]Mechanical bending strain effect on the modulation of metal-insulator transition properties in VO2
〇(D)Sharad Sunil Mane1, Azusa Hattori1, Hidekazu Tanaka1 (1.SANKEN, Osaka Univ.)
[23a-P06-21]放射光電子分光による(CrxV1−x)2O3エピタキシャル薄膜の電子状態
〇西 翔平1、志賀 大亮1,2、井上 晴太郎1、Tirasutt Tassaphon1、早坂 亮太郎1、渡邉 颯彦1、小澤 健一2、吉松 公平1、組頭 広志1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)
[23a-P06-22]界面準位の分析によるPt/Nb:SrTiO3界面型ReRAMの劣化特性の解明
〇(B)石井 智博1、中村 駿斗1、大谷 亮介1、鄭 雨萌1、木下 健太郎1 (1.東理大先進工)
[23a-P06-23]Pt/Nb:SrTiO3接合における電流緩和特性の制御に向けた界面処理による界面状態への影響の調査
〇瀬戸 大雅1、中村 駿斗1、大谷 亮介1、鄭 雨萌1、木下 健太郎1 (1.東理大先進工)