講演情報
[23a-P07-6]MBE法で作製したScN薄膜の非化学量論的組成と電気特性
〇大垣 武1、坂口 勲1、大橋 直樹1 (1.物材機構)
キーワード：
半導体,窒化物,電気特性
ScNは、岩塩型結晶構造のIIIa族窒化物半導体であり、GaAsに匹敵する高い電子移動度を有すると予測されており、近年では、高品質単結晶薄膜の合成や、Mgドーピングによるp型伝導化も報告されている。ScNは、意図的なドーピングを施さなくとも高キャリア濃度を示すが、これはScNの非化学量論的組成に起因する欠陥から生成された伝導電子が寄与していると考えられている。本研究では、MBE法により合成時のSc/N供給比を精密に制御して作製したScN薄膜、及び、それらに窒素プラズマ照射処理を施した薄膜の電気特性について調査した。