講演情報
[23p-12H-4]MgSiN2薄膜の作製と特性評価
〇(M1)影山 壮太郎1、岡本 一輝1、安岡 慎之介1、上岡 義弘2、召田 雅実2、舟窪 浩1 (1.東工大、2.東ソー)
キーワード：
強誘電体
(Al,Sc)Nに代表されるウルツ鉱構造窒化物強誘電体は、従来材料と比較して大きな残留分極値を示す一方で、大きな抗電界が低動作電圧化の課題となっている。我々は、AlNなどの単純窒化物からAlサイトに複数の元素が入った複合窒化物への組成探索範囲の拡張を考えた。本研究では、AlNと比較して分極反転しやすく、絶縁破壊しにくいと予測されているMgSiN2に注目し、薄膜を反応性スパッタリングにより作製し、結晶構造評価及び特性評価を行った。