講演情報
[23p-12J-2][第15回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] ALD-ZrO2核生成層を用いた強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の形成技術とそのMFS構造への応用
〇女屋 崇1,2,3,4、生田目 俊秀3、井上 万里3、澤田 朋実3、太田 裕之2、森田 行則2 (1.東大院新領域、2.産総研、3.物材機構、4.学振PD)
キーワード：
強誘電体薄膜,原子層堆積法,核生成層
我々はこれまでに原子層堆積(ALD)法により成膜した多結晶ZrO2薄膜を強誘電体HfxZr1−xO2 (HZO)薄膜の核生成層(ZrO2-NL)として用いることで強誘電相である直方晶(O)相の形成が促進され、高い残留分極値を示すことを報告した。本研究では、次世代不揮発性メモリとして有望な強誘電体電界効果トランジスタの基本構造である金属/強誘電体/半導体(MFS)構造に、ALD-ZrO2-NL技術を応用することで、低温熱処理(300°C)でのO相の形成及び優れた書き換え特性を実現した。