2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
詳細検索

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[23p-12J-1~10]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2024年3月23日(土) 13:30 〜 16:45
12J (1号館)
井田 次郎(金沢工大)、 川野 連也(東大)
13:30 〜 13:45

[23p-12J-1]第15回シリコンテクノロジー分科会論文賞・研究奨励賞授賞式

〇井田 次郎1,2 (1.シリコンテクノロジー分科会幹事長、2.金沢工業大学)
13:45 〜 14:15

[23p-12J-2][第15回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] ALD-ZrO2核生成層を用いた強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の形成技術とそのMFS構造への応用

〇女屋 崇1,2,3,4、生田目 俊秀3、井上 万里3、澤田 朋実3、太田 裕之2、森田 行則2 (1.東大院新領域、2.産総研、3.物材機構、4.学振PD)
14:15 〜 14:45

[23p-12J-3][第15回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] ハフニア系強誘電体材料を用いた1T1C型FeRAM

〇奥野 潤1、国広 恭史1、小西 健太1、マテラノ モニカ2、アリ タレック3、キューネル ケイティ3、ザイダル コンラッド3、ミコラジック トーマス2、シュローダー ウベ2、塚本 雅則1、梅林 拓1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ、2.ナムラボ、3.フラウンホーファー)
14:45 〜 15:00

[23p-12J-4][第15回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] Si0.1Ge0.9における室温スピン伝導の歪み効果

〇内藤 貴大1、山田 道洋2,3、我妻 勇哉4、澤野 憲太郎4、浜屋 宏平3,5,1 (1.阪大基礎工、2.JSTさきがけ、3.阪大基礎工CSRN、4.東京都市大総研、5.阪大OTRI)
15:00 〜 15:15

[23p-12J-5][第15回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] ウエハ接合を用いた3D集積と今後の展望

〇永野 風矢1 (1.東京エレクトロン九州株式会社)
15:30 〜 15:45

[23p-12J-6]接合絶縁膜の特性の違いによるCMPへの影響

〇端山 健太1、中山 航平1、井上 史大1 (1.横浜国大)
15:45 〜 16:00

[23p-12J-7]低温ハイブリッド接合応用に向けたSiCN膜の界面特性解析

〇佐藤 亮輔1、蛯子 颯大1、大西 洸輝1、井上 史大1 (1.横浜国大)
16:00 〜 16:15

[23p-12J-8]Cu CMPプロセス中のCu腐食挙動に対する下層配線構造の影響

〇内藤 悠哉1、和田 純弥1、糸川 寛志1、田上 政由1、大谷 紀雄1、鬼頭 傑1 (1.キオクシア株式会社)
16:15 〜 16:30

[23p-12J-9]CuIを原料とするLPCVD法によるL/S上へのCu選択成長

〇(B)宮本 裕1、豊田 絃人1、山内 智1 (1.茨城大工)
16:30 〜 16:45

[23p-12J-10]新電解技術による層間絶縁膜上へのRu結晶核の形成

〇岩津 春生1 (1.KMP研究所)
カテゴリ一覧へ戻る