Si薄膜の溶融結晶化研究は80年代ごろに始まり、今日までの一貫目標が無粒界化とCO制御であり、COのふるまいを知る必要があった。我々はマイクロシェブロンレーザー走査(µCLS)法を開発してSi膜中に幅約8µmの単結晶帯を数mm以上成長させた。本論文では横方向結晶成長において結晶方位(CO)は{001}<100>が安定で、そこにたどりつくまでにどの方向と速度でCOが回転するかを明らかにする。この過程で欠陥として発生双晶が発生するが、(001)結晶では双晶が発生せず、膜平面と近平行な(111)ファセットが存在するCOで双晶は発生しやすくなることを示す。これらCO回転方向、速度、双晶により、全体のCO分布が決まる。