2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[23p-12K-1~15]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2024年3月23日(土) 13:30 〜 18:00
12K (1号館)
森田 行則(産総研)、 葉 文昌(島根大)、 岡田 竜弥(琉球大)
13:30 〜 14:00

[23p-12K-1][第45回優秀論文賞受賞記念講演] SiO2で挟まれたSi薄膜の横方向結晶成長における安定{001}<100>方向への結晶方位の回転傾向

〇葉 文昌1、白川 俊樹、ファム ホァン アン1 (1.島根大学)
14:00 〜 14:15

[23p-12K-2]ヘリウムイオン顕微鏡技術による極薄シリコンナノシートへの直接ナノ加工

〇森田 行則1、井上 憲介2、杉江 隆一2、小川 真一1 (1.産総研、2.東レリサーチセンター)
14:15 〜 14:30

[23p-12K-3]Si系ナノ薄膜の微細レーザー加工

〇上杉 祐貴1、小林 哲郎1、小澤 祐市1、佐藤 俊一1 (1.東北大)
14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[23p-12K-4]スパッタSi膜のμCLS法による(001)単結晶帯成長

〇(B)野須 涼太1、葉 文昌1 (1.島根大総合理工)
14:45 〜 15:00

[23p-12K-5]Si 薄膜のレーザ結晶化における線状 Agglomeration (IV)

〇佐々木 伸夫1、高山 智之2、笹井 陸杜2、浦岡 行治2 (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)
15:15 〜 15:30

[23p-12K-6][シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞）受賞記念講演] 多結晶Ge系IV族半導体薄膜の電気的特性制御

〇野沢 公暉1 (1.筑波大学)
15:30 〜 15:45

[23p-12K-7]印刷とパルスレーザーアニールによるSi基板上へのSiGe薄膜成長

〇佐藤 剛志1、宮本 聡1、鈴木 紹太2、南山 偉明2、ダムリン マルワン2,3、宇佐美 徳隆1,4,5 (1.名大院工、2.東洋アルミ、3.阪大院工、4.名大未来機構、5.名大未材研)
15:45 〜 16:00

[23p-12K-8]印刷とパルスレーザーアニールによるGe基板上へのGeSn薄膜成長

〇佐藤 剛志1、宮本 聡1、鈴木 紹太2、南山 偉明2、ダムリン マルワン2,3、宇佐美 徳隆1,4,5 (1.名大院工、2.東洋アルミ、3.阪大院工、4.名大未来機構、5.名大未材研)
16:00 〜 16:15

[23p-12K-9]Si/Ge/SiO2の低温成長とその構造及び電気特性評価

〇有元 圭介1、近藤 弘人1、河村 剛登1、中川 清和1、原 康祐1、山中 淳二1 (1.山梨大)
16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[23p-12K-10]表面電位測定による多結晶Ge薄膜の粒界特性評価

〇前田 真太郎1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大学)
16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[23p-12K-11]ガラス基板上の縦型４端子poly-Si 薄膜トランジスタ

〇(M1)鈴木 康聖1、楠 浩太朗1、原 明人1 (1.東北学院大工)
17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[23p-12K-12]ガラス基板上LSIに向けた異種半導体Complementary TFTの開発

〇(M1)伊藤 悠人1、永吉 輝央1、鈴木 翔1、原 明人1 (1.東北学院大工)
17:15 〜 17:30

[23p-12K-13]プラスチック上のダブルゲート p-ch Cu-MIC poly-Ge TFT および CMOS インバータ実現可能性の検討

〇(B)栗原 義人1、鈴木 翔1、土屋 俊之2、奥山 哲雄2、原 明人1 (1.東北学院大学、2.東洋紡(株))
17:30 〜 17:45

[23p-12K-14]水蒸気低温プラズマジェット照射によるポリシラザンのシリカ転化メカニズム

〇酒池 耕平1、東 清一郎2 (1.広島商船高専、2.広大院 先進理工)
17:45 〜 18:00

[23p-12K-15]Neを用いてスパッタ成膜したガラス上InSb膜の RTA結晶化における膜厚効果

上間 亮ノ佑1、奥 翔太1、野口 隆1、梶原 隆司2、佐道 泰造2、〇岡田 竜弥1 (1.琉大工、2.九州大)
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