講演情報
[23p-12K-6][シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞）受賞記念講演] 多結晶Ge系IV族半導体薄膜の電気的特性制御
〇野沢 公暉1 (1.筑波大学)
キーワード：
半導体,トランジスタ,リチウムイオン電池
ゲルマニウム（Ge）は、多様な電子・光学デバイスに応用可能な優れた物性を有している。新規デバイスの創出に向け、絶縁体上に多結晶Ge薄膜を合成する研究は古くから行われてきたが、その高密度な結晶粒界やアクセプタ欠陥の存在から、電気的特性の制御は困難であった。講演では、講演者のGe、SiGe、GeSn等のGe系半導体材料の多結晶薄膜に関する研究を紹介する。