ゲルマニウム（Ge）は、多様な電子・光学デバイスに応用可能な優れた物性を有している。新規デバイスの創出に向け、絶縁体上に多結晶Ge薄膜を合成する研究は古くから行われてきたが、その高密度な結晶粒界やアクセプタ欠陥の存在から、電気的特性の制御は困難であった。講演では、講演者のGe、SiGe、GeSn等のGe系半導体材料の多結晶薄膜に関する研究を紹介する。