講演情報
[23p-12L-4]軽量基板上 Cu(In,Ga)Se2セルにおける裏側界面の評価
〇大場 幹也1、上川 由紀子2、永井 武彦2、石塚 尚吾2、西永 慈郎2、反保 衆志2、奥田 哲治1、寺田 教男1,2 (1.鹿児島大、2.産総研)
キーワード：
CIS太陽電池
軽量基板polyimide上のCIGSeセルにおけるCIGSe裏面 / Mo電極界面の電子構造をin-situ 正・逆光電子分光法により評価した。結果から、対向するCIGSe 裏面、Mo電極表面層の仕事関数がほぼ一致すること、Mo-Se層の電子構造がバルクMoSe2と異なること、さらにセルの種類によって異なることを見出した。また複数種セルの裏側界面の組成、電子構造評価からMo電極表面のMo-Se層におけるMo欠損率が異なる電子構造の起源であると示唆された。