講演情報
[23p-12L-7]ミストCVD法を用いたIn2S3薄膜の作製
〇荒木 耀平1、船木 顕広1、古牧 郁弥1、西村 昂人1、山田 明1 (1.東工大工)
キーワード：
ミストCVD,n型バッファ層
Cu(In,Ga)Se2太陽電池の高効率化において重要なn型CdSバッファ層の代替材料として、In2S3薄膜をミストCVD法により作製した。製膜は窒素で満たしたグローブボックス内において、無酸素条件下で行った。XRD測定および電子顕微鏡を用いた観察から、ミストCVD法を用いてIn2S3が無アルカリガラス基板上に均一に堆積していることを確認した。当日は、In2S3膜の電気的・光学的特性を含めて報告する予定である。