講演情報
[23p-12P-5]1/f雑音の電子トラップ時定数分布
〇谷田部 然治1、葛西 誠也2 (1.熊本大、2.北大量集センター)
キーワード：
雑音,ランダムテレグラフノイズ,1/f
パワースペクトル密度S(f)が周波数に反比例する 雑音は半導体デバイスの電流雑音として広く観測される。その主たる要因は半導体表面・界面や酸化膜中の欠陥等による電子トラップの充放電であるが、複雑な形状のパワースペクトル密度S(f)から電子トラップの充放電の時定数分布G(τ)を抽出する手法は確立されていない。そこで本研究では電流雑音のパワースペクトル密度S(f)からトラップの充放電の時定数分布G(τ)を導く新規手法について検討した。