[23p-12P-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

15:00 〜 15:15

[23p-12P-6] Si MOSFETにおける埋込みナノ構造に対する感度の改善

〇(M1)呂 任翔¹、三ツ谷 拓真¹、葛西 誠也¹ (1.北大　量集センター)

キーワード：

半導体デバイス,ランダムナノ構造,人工物メトリクス