講演情報
[23p-13P-9]フェムト秒レーザー直描による Er:YAG セラミクス導波路レーザーの導波路構造依存性
〇(D)住谷 大志1、谷 峻太郎1、角田 明博2、中﨑 雅人2、小林 洋平1 (1.東大物性研、2.JX金属株式会社)
キーワード：
導波路,レーザー直描,セラミクス
従来のテーブルトップ型の光学システムの小型化に向け、ハイパワーのアクティブ導波路作製を目指している。高い熱伝導性をもつ透明セラミクスにフェムト秒レーザー直描で作製し、径の大きい導波路を作製する研究が行われてきた。我々はこれまでにEr:YAGセラミクスに対して初めてこの方法で導波路レーザーを実現した。本講演ではこのEr:YAGセラミクス導波路レーザーのビームモード改善や発振閾値低減に向け、導波路構造依存性を議論する。