[23p-1BB-1~18] 12.2 評価・基礎物性

16:30 〜 16:45

[23p-1BB-11] 精密にサイズ制御されたCu_1.8Sナノプレートの電気特性

〇田中 晴¹、Yin Dongbao¹、土畑 瑛嗣¹、新田 亮介¹、伊澤 誠一郎¹、猿山 雅亮²、寺西 利治²、真島 豊¹ (1.東工大フロ研、2.京大化研)

キーワード：

半導体,電子線リソグラフィー,ナノ結晶

電子線リソグラフィによって作製したPtナノギャップ電極に、六角柱構造を有する、対辺距離57 nm、厚さ7 nmのCu_1.8Sナノプレートを導入し、電気測定を行った。
真空低温プローバーを用いて測定した、Cu_1.8Sナノプレートの電気特性を報告する。