講演情報
[23p-1BB-3][Ni(chxn)2Br]Br2におけるメモリスタ発振の観測
〇大島 勇吾1、竹延 大志2、石黒 圭祐2、高石 慎也3 (1.理研、2.名大工、3.東北大理)
キーワード：
メモリスタ,非線形伝導,発振
『メモリスタ』は、情報の保持に電力を必要とせず、電荷に依存して抵抗が連続的に変化するアナログ的なメモリーとしての利用が可能になるため、次世代の省エネ大容量メモリーや量子コンピューター等への活用が期待されている。我々はこれまでの応用物理学会において、Bilayer型分子性物質 (Et-4BrT)[Ni(dmit)2]2がメモリスタ特有の「Pinched Hysteresis Loop」を示し、コンデンサを並列に接続しバイアス電流を印加する事によりメモリスタ発振が起こる事を発表してきた。今回、ハロゲン架橋金属錯体[Ni(chxn)2Br]Br2においても、「Pinched Hysteresis Loop」が存在し、メモリスタ発振することを確認したので、これについて報告する。