本発表では、電子線リソグラフィと無電解金めっき(ELGP)を基盤技術として、ナノスケールにおける内部応力と電界を利用し、一つのπ共役分子を半導体として用いる単分子トランジスタ、二次元強誘電半導体を用いた面内分極強誘電電界効果型トランジスタメモリ、抵抗変化型ナノギャップガスセンサ、ナノ構造規則化L1₀-CoPt強磁性ナノワイヤ、ELGPナノポアDNAシーケンサーなどの電子デバイス研究を紹介する。