サファイア上GaNテンプレート基板の上にEpitaxial Lateral Overgrowth (ELO)による独自構造のELO GaN基板を形成し、LED構造を作製した。ドライエッチングによる素子分離の際に、マスク開口部上のGaNは一部を残して除去して、ELO GaN上のマイクロLEDは一部が下地基板と繋がった状態にした。AuSnはんだにより配線基板と接合させることで、マイクロLEDは下地基板から剥離して配線基板上に転写される。一括転写したマイクロLEDは一様な点灯を示した。