2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[23p-21C-1~16]15.4 III-V族窒化物結晶

2024年3月23日(土) 13:00 〜 18:15
21C (2号館)
岩谷 素顕(名城大)、 関口 寛人(豊橋技科大)、 藤岡 洋(東大生研)
13:00 〜 13:30

[23p-21C-1][第2回ダイバーシティ＆インクルージョン賞　女性研究者研究奨励賞　受賞記念講演] N極性/III族極性窒化物半導体の結晶成長と光デバイス応用に関する研究

〇正直 花奈子1,2 (1.京大院工、2.三重大院)
13:30 〜 14:00

[23p-21C-2][第45回優秀論文賞受賞記念講演] スパッタ堆積AlNのFace-to-face法アニールで作製した低らせん・混合転位密度テンプレート上発光波長263nm UV-C LED

〇三宅 秀人1,3、上杉 謙次郎2,3、窪谷 茂幸2、正直 花奈子1、肖 世玉2、久保 雅敬1、中村 孝夫3,4 (1.三重大 院工、2.三重大 地創戦略企、3.三重大 院地域イノベ、4.東大生研)
14:00 〜 14:30

[23p-21C-3][第45回優秀論文賞受賞記念講演] 1μmの周期凹凸ﾊﾟﾀｰﾝ構造AlN上の波長290nmのAlGaN系UV-B LD

〇田中 隼也1、手良村 昌平1、下川 萌葉1、山田 和輝1、大森 智也1、岩山 章1,2、佐藤 恒輔1,3、三宅 秀人2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、赤﨑 勇1,4 (1.名城大学　理工、2.三重大学、3.旭化成、4.赤﨑研究センター)
14:45 〜 15:00英語発表

[23p-21C-4][The 45th Young Scientist Award Speech] InGaN-based green micro-LED efficiency enhancement by hydrogen passivation of the p-GaN sidewall

〇Pavel Kirilenko1, Daisuke Iida1, Zhe Zhuang1, Kazuhiro Ohkawa1 (1.KAUST)
15:00 〜 15:15

[23p-21C-5][第45回論文奨励賞受賞記念講演] スパッタ法により作製した縮退GaN再成長コンタクトを有するAlN/AlGaN HEMT

〇前田 亮太1、上野 耕平1、小林 篤2、藤岡 洋1 (1.東大生研、2.東京理科大学)
15:15 〜 15:30

[23p-21C-6][第55回講演奨励賞受賞記念講演] 低抵抗n型GaN基板作製に向けた高濃度Sn添加GaNのHVPE成長

〇濵﨑 乾輔1、大西 一生2、新田 州吾2、藤元 直樹2、渡邉 浩崇2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)
15:30 〜 15:45

[23p-21C-7][第55回講演奨励賞受賞記念講演] 超短パルスレーザ励起微小共振器型第二高調波発生デバイス

〇南部 誠明1、中原 智裕2、安田 悠馬2、藤原 康文2、斗内 政吉1、上向井 正裕2、谷川 智之2、片山 竜二2 (1.阪大レーザー研、2.阪大院工)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[23p-21C-8]損傷のない一括転写技術のためのマイクロLED中空構造の最適化

〇北出 泰己1、西川 敦2、Loesing Alexander2、関口 寛人1 (1.豊技大、2.ALLOS)
16:00 〜 16:15

[23p-21C-9]導電性材料への転写による縦型電流注入可能なフレキシブルマイクロLEDフィルムの開発

〇神田 稜太1、北出 泰己1、西川 敦2、Alexander Loesing2、関口 寛人1 (1.豊技大、2.ALLOS)
16:15 〜 16:30

[23p-21C-10]独自ELO GaN基板を用いたマイクロLEDアレイの作製と評価

〇林 雄一郎1、文 秀榮1、古茂田 晶子1、竹内 太郎1、多田 龍生1、神川 剛1 (1.京セラ(株))
16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[23p-21C-11]モノリシック型μLEDアレイにおける迷光のサファイア基板膜厚依存性

〇(M1)長谷川 直希1、齋藤 竜成1、末広 好伸1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1 (1.名城大理工)
17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[23p-21C-12]PEDOT/PSSを正孔輸送層に用いたGaInN系青色LEDにおけるJ-V特性改善に関する研究

〇(M1)加藤 悠真1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、松山 絵美2、鈴木 敦志2 (1.名城大学、2.E&E エボリューション（株）)
17:15 〜 17:30

[23p-21C-13]端面非発光再結合による発光効率低下のない3.5 x 3.5 μm2 GaN青色マイクロLED

〇王 学論1,2、趙 茜茜1、高橋 言緒1、大堀 大介3、寒川 誠二4,3 (1.産総研、2.名大IMaSS、3.東北大流体研、4.台湾陽明交通大)
17:30 〜 17:45

[23p-21C-14]長方形状(0001) InGaNマイクロ発光素子における非等方的歪緩和の誘起と面内偏光制御

〇市川 修平1,2、松田 祥伸3、船戸 充3、川上 養一3、小島 一信1 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.京大院工)
17:45 〜 18:00

[23p-21C-15]下地層に青と緑色活性層を持つInGaN系赤色LEDの特性

〇奥野 浩司1、五所野尾 浩一1、大矢 昌輝1 (1.豊田合成)
18:00 〜 18:15注目講演

[23p-21C-16]積層型InGaNフルカラーモノリシックマイクロLEDディスプレイの実証

〇五所野尾 浩一1、奥野 浩司1、大矢 昌輝1 (1.豊田合成(株))
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