InGaNを用いた発光ダイオード(LED)や垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL)など、可視光域において面発光を利用した半導体光デバイスの研究は近年盛んに行われている。上記素子の多くは、(0001)基板上に作製され、その面発光は偏光しないことが一般に知られている。一方で、直線偏光LED発光を利用したディスプレイ応用や、VCSELにおける偏光方向の制御など、直線偏光の発現は素子制御や更なる応用先の開拓にむけて重要である。本研究では、ヘテロエピタキシャル成長した(0001) GaNテンプレート内に残留するbiaxial strainに着目し、マイクロLEDの素子形状を長方形型に設計することで、特殊な成長面や成長機構を利用することなく、面発光の直線偏光性の発現を試みたので報告する。