講演情報
[23p-21C-3][第45回優秀論文賞受賞記念講演] 1μmの周期凹凸ﾊﾟﾀｰﾝ構造AlN上の波長290nmのAlGaN系UV-B LD
〇田中 隼也1、手良村 昌平1、下川 萌葉1、山田 和輝1、大森 智也1、岩山 章1,2、佐藤 恒輔1,3、三宅 秀人2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、赤﨑 勇1,4 (1.名城大学 理工、2.三重大学、3.旭化成、4.赤﨑研究センター)
キーワード：
AlGaN,レーザダイオード,紫外
1μm周期の凹凸パターンを形成したPCCP-AlN上にAlGaN層を厚膜成長させ、UV-B LDを作製することで波長290nm、閾値電流密度35kAcm−2の室温パルス発振を実現した。PCCP-AlNの利点は、AlGaN結晶の核生成を促進することである。この核をAlGaNで平坦化することでAlGaN層上部の貫通転位密度を低減し、不規則に出現するμmサイズの巨大なヒロックやVピットの形成を抑制した。