講演情報
[23p-22A-2]多結晶In1-xGaxAs薄膜物性の体系的調査
〇(M1)Seo Jisol1、野沢 公暉1、石山 隆光1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院 数理物質)
キーワード：
半導体,薄膜トランジスタ
薄膜トランジスタの高性能化に向け、高いキャリア移動度を有する半導体薄膜の絶縁基板上形成が研究されてきた。Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体（InGaAs等）は、高い電子移動度μn （9000 – 40000 cm2 V−1 s−1）を有することから、次世代の電界効果トランジスタの材料として期待されている。しかし、これまで絶縁体上合成された多結晶Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体の報告は限られてきた。本研究では、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体の薄膜トランジスタ応用を目指し、多結晶In1-xGaxAs薄膜の物性を体系的に調査した。