[23p-52A-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

13:00 〜 13:15

[23p-52A-1] 4H-SiCへのプラズマ処理による水素導入

〇(P)リ トウ¹、坂根 仁²、原田 俊太³、黒川 康良³、加藤 正史¹ (1.名工大、2.住重アテックス、3.名大)

キーワード：

SiC,水素プラズマ処理

従来のSiCパワーデバイスでは、順方向通電時に積層欠陥が拡張し、順方向特性が劣化するという現象がある。先行研究によれば、エピタキシャル層へのプロトン注入が積層欠陥の拡張を抑制できることが示されているが、プロトン注入の最適な方法と条件はまだ確立されていない。Siにおいては、水素プラズマ処理(HPT)により水素を導入する研究が行われている。本研究では、水素プラズマ処理によって4H-SiCエピタキシャル層に水素を導入し、キャリアライフタイムの測定を行い、HPTの注入効果を検討する。