2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23p-52A-1~18]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2024年3月23日(土) 13:00 〜 18:15
52A (5号館)
細井 卓治(関学大)
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13:00 〜 13:15

[23p-52A-1]4H-SiCへのプラズマ処理による水素導入

〇(P)リ トウ1、坂根 仁2、原田 俊太3、黒川 康良3、加藤 正史1 (1.名工大、2.住重アテックス、3.名大)
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13:15 〜 13:30

[23p-52A-2]エピタキシャル成長前SiC基板へのH+注入効果

〇加藤 正史1、渡邉 王雅1、原田 俊太2、坂根 仁3 (1.名工大、2.名大、3.住重アテックス)
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13:30 〜 13:45

[23p-52A-3]高濃度Alドープ4H-SiCにおけるキャリア再結合

〇加藤 正史1、田中 和裕1 (1.名工大)
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13:45 〜 14:00

[23p-52A-4]4H-SiC自立エピ層に対する全方位フォトルミネッセンス評価

〇牧野 隼宜1、鈴木 健吾2、加藤 正史1 (1.名工大院工、2.浜松ホトニクス株式会社)
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14:00 〜 14:15

[23p-52A-5]4H-SiC中Al<0001>チャネリング/ランダム注入電子阻止能比のSi中<001>チャネリング/ランダム注入電子阻止能比との比較

〇望月 和浩1、西村 智朗1、三島 友義1 (1.法政大)
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14:15 〜 14:30

[23p-52A-6]ラマン分光法によるTi/Au電極付n形4H-SiC結晶の高温電子物性解析

〇石田 秀1、西脇 光星1、須田 潤1 (1.中京大工)
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14:30 〜 14:45

[23p-52A-7]光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いた有機層/半導体界面の過渡熱伝導の測定

〇Yu Jiawen1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先進理工)
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15:00 〜 15:15

[23p-52A-8][第45回論文奨励賞受賞記念講演] 酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0001),(1120)および(1100)MOSFETの移動度向上

〇立木 馨大1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
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15:15 〜 15:30

[23p-52A-9]高温・低酸素分圧下アニールによる 4H-SiC 中の欠陥生成の FT-IR による検出

〇(D)呂 楚陽1、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
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15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[23p-52A-10]犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化

〇(B)八軒 慶慈1、藤本 博貴1、小林 拓真1、平井 悠久2、染谷 満1,2、岡本 光央2、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大工・院工、2.産総研)
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15:45 〜 16:00奨励賞エントリー英語発表

[23p-52A-11]Investigating the Mechanism of SiO2/4H-SiC Interface Traps Passivation
by Boron Incorporation through FT-IR Analysis of Near-Interface SiO2

〇(DC)Runze Wang1, Munetaka Noguchi2, Shiro Hino2, Koji Kita3 (1.School of Eng., The Univ. of Tokyo, 2.Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 3.GSFS, The Univ. of Tokyo)
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16:00 〜 16:15

[23p-52A-12]絶縁膜中の希土類元素の濃度による4H-SiC/絶縁膜界面への窒素導入現象の変化とその原因の考察

〇中島 辰海1、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
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16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[23p-52A-13]NOによるSiC/SiO2界面への窒素導入速度論に対する雰囲気効果の理解

〇佐々木 琉1、女屋 崇2、喜多 浩之1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域)
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16:45 〜 17:00奨励賞エントリー英語発表

[23p-52A-14]Mechanism of Mechanical Stress-Induced Flat-band Voltage Change in 4H-SiC MOS Structure

〇(DC)Qiao Chu1, Masahiro Masunaga2, Akio Shima2, Koji Kita1 (1.School of Eng., The Univ. of Tokyo, 2.Hitachi)
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17:00 〜 17:15

[23p-52A-15]4H-SiC/SiO2 界面におけるNO分子の界面反応過程の理論解析

〇秋山 亨1、影島 博之2、白石 賢二3 (1.三重大院工、2.島根大院自然科学、3.名大未来研)
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17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[23p-52A-16]第一原理計算に基づく4H-SiC中酸素関連欠陥の系統的調査

〇(M1)岩本 蒼典1、志村 考功1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大院工)
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17:30 〜 17:45奨励賞エントリー

[23p-52A-17]低温追酸化によるSiO2/SiC界面発光中心の密度制御と電気特性との相関

〇(M1)大西 健太郎1、中沼 貴澄1、田原 康佐2、朽木 克博2、志村 考功1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大院工、2.豊田中研)
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17:45 〜 18:15

[23p-52A-18][シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞（名取研二業績賞）] パワー半導体、歴史、発展、将来展望

〇藤平 龍彦1 (1.富士電機株式会社)
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