講演情報
[23p-P05-48]金属層を挿入したβ-FeSi2とTiO2ヘテロ接合構造の電極電位制御
〇秋山 賢輔1、祖父江 和治1、入江 寛2 (1.神奈川県立産技総研、2.山梨大クリーンエネ)
キーワード：
半導体ヘテロ接合,電極電位,金属層
本多・藤嶋効果の発見から、光触媒効果を用いた光－化学エネルギー変換が研究され、粉末粒子による一段階励起型光触媒、二段階励起型光触媒、及び電極に光触媒材料を用いたシステムが提唱されている。この中で二段階励起型光触媒反応システムは、酸化還元媒体となる試薬が不可欠、また試薬の酸化還元電位による応答波長の制限、電荷授受効率の改善が必要とされる。一方、太陽電池デバイスでは異なる禁制帯幅を持つ半導体材料の接合(ヘテロ接合)を利用することで効率的な光吸収、及び光励起キャリアの分離がエネルギー変換効率向上に繋がっている。このため光触媒材料においてもヘテロ接合構造による変換効率の向上が期待できる。本研究では、金属層を介してp型とn型の半導体をヘテロ接合させることにより光触媒の還元反応に用いる伝導帯下端の電極電位の制御を報告する。