[24a-11E-1~9] 3.10 フォトニック構造・現象（旧3.11）

12:00 〜 12:15

[24a-11E-9] 逆設計で最適化したSiナノワイヤアレー共振器の特性評価

〇滝口 雅人^1,2、Heidt Peter²、角倉 久史^1,2、新家 昭彦^1,2、納富 雅也^1,2,3 (1.NTT NPC、2.NTT 物性研、3.東工大理)

キーワード：

フォトニック結晶,ナノワイヤ,共振器

これまで我々はフォトニック結晶へナノワイヤの導入[1,2]や、ナノワイヤ上へのナノ構造実装[3]を検討してきた。本研究では、将来、III-V族ナノワイヤを活性層として集積することを念頭に、逆設計手法を用いたSi ナノワイヤアレー共振器のQ値と中央のナノワイヤへの光閉じ込め（Γ）の最適化を行い、導波路構造を実装することで実験的に共振器を評価した。
[1] M. Notomi, et.al., Opt. Mater. Express, 10, 2560 (2020)
[2] M. Takiguchi, et.al., APL Photonics, 2, 046106 (2017)
[3] M. Takiguchi, et.al., Nanotechnology, 34, 135301 (2023)