講演情報
[24a-12H-8]ScGaNにおける自発分極と圧電定数の第一原理計算
〇平田 研二1、上原 雅人1、山田 浩志1、アンガライニ スリアユ1、秋山 守人1 (1.産総研)
キーワード：
圧電体,窒化物,第一原理計算
GaNにScを添加したScGaNにおいて圧電定数の向上や強誘電性の発現が確認されているが、圧電特性や強誘電特性の濃度依存性に関する実験や理論計算の報告は少ない。今後、ScGaNのデバイスを開発するうえで、性能制御のために圧電特性や強誘電特性のSc濃度依存性は重要な指標となる。本研究では、第一原理計算によりScGaNにおける圧電定数と自発分極のSc濃度依存性を評価した。