セッション詳細

[24a-12H-1~9]6.1 強誘電体薄膜

2024年3月24日(日) 9:00 〜 11:30
12H (1号館)
神野 伊策(神戸大)、 山田 智明(名大)

[24a-12H-1]純AlN薄膜SMRのkt2ヒステリシス特性

〇花井 彩香1,2、柳谷 隆彦1,2,3,4 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST)

[24a-12H-2]Pt下部電極の膜厚がAlScNの膜特性に及ぼす影響

〇道古 宗俊1、松井 尚子1、入澤 寿和1、恒川 孝二1、中村 美子2、岡本 一輝2、舟窪 浩2 (1.キヤノンアネルバ、2.東工大 物質理工学院)

[24a-12H-3]High stability of ferroelectricity against hydrogen gas in (Al,Sc)N thin films

〇(P)Nana Sun1, Kazuki Okamoto1, Shinnosuke Yasuoka1, Naoko Matsui2, Toshikazu Irisawa2, Koji Tsunekawa2, Soshun Doko2, Hiroshi Funakubo1 (1.Tokyo Tech., 2.Canon ANELVA Corp.)

[24a-12H-4]スパッタ法によるAl1-xScxN/Siヘテロ構造の作製

〇山田 洋人1、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大工)

[24a-12H-5]周期的傾斜分極反転構造とベタ電極からなるSAWデバイス

〇松村 理司1,2、島野 耀康1,2、大野 直輝1,2、柳谷 隆彦1,2,3,4、長 康雄5 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST、5.東北大)

[24a-12H-6]Ga添加によるAlNへのSc固溶量の増加とその強誘電性および圧電性への影響

大田 怜佳1、安岡 慎之介1、中村 美子1、岡本 一輝1、原 浩之2、正能 大起2、上岡 義弘2、召田 雅実2、〇舟窪 浩1 (1.東工大 物質理工学院、2.東ソー株式会社)

[24a-12H-7]スパッタリング法で作製した高Sc濃度ScGaN膜の圧電・強誘電特性

〇上原 雅人1、平田 研一1、中村 美子2、安岡 慎之介2、スリ アユ アンガライニ1、岡本 一輝2、山田 浩志1、舟窪 浩2、秋山 守人1 (1.産総研、2.東工大)

[24a-12H-8]ScGaNにおける自発分極と圧電定数の第一原理計算

〇平田 研二1、上原 雅人1、山田 浩志1、アンガライニ スリアユ1、秋山 守人1 (1.産総研)

[24a-12H-9]X線吸収分光法によるScGaN膜の局所構造解析

池本 勇2、平田 研一1、瀬戸山 寛之3、大曲 新矢1、スリ アユ アンガライニ1、山田 浩志1,2、秋山 守人1、〇上原 雅人1,2 (1.産総研、2.九大総理工、3.SAGA- LS)