[24a-12J-1~10] 13.8 光物性・発光デバイス

10:00 〜 10:15注目講演

[24a-12J-4] 窒化物半導体中プラセオジムの4f殻内遷移発光に寄与する電子準位

〇佐藤 真一郎¹、正直 花奈子^2,3、三宅 秀人³ (1.QST、2.京大院工、3.三重大院工)

キーワード：

窒化物半導体,プラセオジム,フォトルミネセンス

窒化物（GaNおよびAlN）Pr³⁺の4f殻内遷移発光に寄与する電子準位について、他の母材料との比較に基づく検討を行った。その結果、GaN:Prにおける最も支配的な1.9 eV付近の発光ピークは、過去に同定された³P₀ – ³F₂遷移ではなく、¹D₂ – ³H₄もしくは³P₀ – ³H₆遷移に起因する可能性が高いことがわかった。