講演情報
[24a-12P-6]新規超伝導体In3−xS4における合成条件の最適化
〇(M2)山根 和樹1,2、松本 凌1、只野 央将1、寺嶋 健成1、新名 亨3、入舩 徹男3、櫻井 裕也1、高野 義彦1,2 (1.物材機構、2.筑波大、3.愛媛大 GRC)
キーワード：
超伝導
我々は高圧合成と電気抵抗測定が可能な圧力セルを開発しており、これを用いて立方晶In3-xS4がTc = 16 Kの超伝導を示すことを明らかにした。しかしながら、転移はブロードであり、合成条件の最適化による超伝導特性の向上が求められる。本研究では高圧下X線回折測定や高圧下での複数回の加熱を通して、転移幅が小さくTcが17.7 Kの試料の合成に成功した。これは二元系硫化物超伝導体で最も高い転移温度である。