講演情報
[24a-1BB-10]炭化ケイ素シリコン空孔荷電状態安定性のドーピング条件依存性
〇山崎 雄一1、明石 遼介1、花輪 雅史2、村田 晃一2、佐藤 真一郎1、宮脇 信正1、圓谷 志郎1、増山 雄太1、松下 雄一郎1,3、土田 秀一2、好田 誠1,4、大島 武1,4 (1.量研、2.電中研、3.東工大、4.東北大)
キーワード：
スピン欠陥,炭化ケイ素,ドーピング条件依存性
スピン欠陥の一つである炭化ケイ素(SiC)中のシリコン空孔(VSi)を量子センサとして機能させるには、その荷電状態を負の1価(VSi-)にする必要がある。様々な特性を持つエピタキシャル層で構成されているデバイス中での荷電状態安定性は、SiCパワーデバイス内部直接観察応用にとって重要である。本研究では、ドーピング条件およびVSi濃度を広範囲で変化させることで、VSi安定性を体系的に調べた結果について報告する。