[24a-1BB-1~10] KS.1 固体量子センサ研究会

11:45 〜 12:00

[24a-1BB-10] 炭化ケイ素シリコン空孔荷電状態安定性のドーピング条件依存性

〇山崎 雄一¹、明石 遼介¹、花輪 雅史²、村田 晃一²、佐藤 真一郎¹、宮脇 信正¹、圓谷 志郎¹、増山 雄太¹、松下 雄一郎^1,3、土田 秀一²、好田 誠^1,4、大島 武^1,4 (1.量研、2.電中研、3.東工大、4.東北大)

キーワード：

スピン欠陥,炭化ケイ素,ドーピング条件依存性

スピン欠陥の一つである炭化ケイ素(SiC)中のシリコン空孔(V_Si)を量子センサとして機能させるには、その荷電状態を負の1価(V_Si^-)にする必要がある。様々な特性を持つエピタキシャル層で構成されているデバイス中での荷電状態安定性は、SiCパワーデバイス内部直接観察応用にとって重要である。本研究では、ドーピング条件およびV_Si濃度を広範囲で変化させることで、V_Si安定性を体系的に調べた結果について報告する。