[24a-21C-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:30 〜 9:45

[24a-21C-3] TMA パルス供給による AlN の高温成長

〇高柳 祐介¹、富田 敦之¹、藤井 滉樹¹、松原 優翔¹、髙島 祐介^1,2、直井 美貴^1,2、永松 謙太郎^1,2 (1.徳島大理工、2.徳島大pLED)

キーワード：

半導体,Ⅲ-Ⅴ族窒化物,MOVPE