講演情報
[24a-22B-5]ペンタセン堆積前SiO2表面処理によるチャネル層形成効率の向上
〇後藤 直樹1、入江 祐太朗1、斉藤 基1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
キーワード：
有機半導体
本研究では，ペンタセンを用いた有機MOSにおいてホールをより深く界面付近まで侵入させることを目的としている．
有機MOSひいてはOTFTの特性改善には有機半導体/絶縁膜界面の欠陥の修復が重要である．界面の欠陥の原因として，SiO2表面のOH基によるトラップが考えられる．本研究では， SiO2表面にプラズマ窒化処理を行うことで，ペンタセン/SiO2界面のOH基を除去し，欠陥の修復を目指す．
有機MOSひいてはOTFTの特性改善には有機半導体/絶縁膜界面の欠陥の修復が重要である．界面の欠陥の原因として，SiO2表面のOH基によるトラップが考えられる．本研究では， SiO2表面にプラズマ窒化処理を行うことで，ペンタセン/SiO2界面のOH基を除去し，欠陥の修復を目指す．