講演情報
[24a-22B-6]真空環境下における高分子有機電界効果トランジスタの動作不安定性の起源
〇坂本 謙二1、ブルガレビッチ キリル1,2,3、安田 剛1、三成 剛生1、竹内 正之1,2 (1.NIMS、2.筑波大院数物、3.理研)
キーワード：
有機電界効果トランジスタ,バイアスストレス効果,高分子有機半導体
高分子有機電界効果トランジスタ（OFET）の高い移動度に加えて、高い動作安定性を同時に達成することが応用上重要である。本研究では、真空環境下においてベンチマーク高分子有機半導体PBTTTと高移動度D-A共重合体PCDTPTを活性層とするOFETsのバイアス・ストレス効果を測定・解析することにより、環境因子由来ではない、OFETsに固有な動作不安定性の起源に関する知見を得たので報告する。