[24a-31B-1~9] 17.3 層状物質

10:00 〜 10:15

[24a-31B-5] 酸化W薄膜を用いたWS₂薄膜の合成の表面形状への影響

〇(B)高木 颯¹、関谷 和志²、大橋 史隆¹、Jha Himanshu¹、久米 徹二^1,2 (1.岐阜大工、2.岐阜大院自)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド,半導体,二硫化タングステン